HY3810P HY3810 tranzystor N-Channel MOSFET TO220 TO-220 100V 180A

Opis

Tranzystor HY3810P N-Channel MOSFET Model: HY3810POznaczenie: HY3810PTyp tranzystora: N-Channel MOSFETObudowa: TO-220FB-3L (również dostępny jako TO-3PM-3S, TO-3PS-3L, TO-263-2L)Montaż: THT przewlekanyVDSS Napięcie dren-źródło 100 VVGSS Napięcie bramka-źródło ±25 VID Prąd drenu ciągły (25°C) 180 AID Prąd drenu ciągły (100°C) 132 AIDM Prąd drenu impulsowy Ograniczony przez temperaturę złącza AIS Prąd diody 180 APD Moc strat (25°C) 346 WPD Moc strat (100°C) 173 WTj Temperatura złącza max 175 °CTstg Zakres temp. przechow. -55 do 175°CRθJC Opór termiczny złącze-obudowa 0.43°C/WRθJA Opór termiczny złącze-powietrze 62.5°C/WRDS(on) Rezystancja w stanie włączenia (Vgs = 10V, Id = 90A) 5.0 6.5 mΩVGS(th) Napięcie progowe 2.0 4.0 VIGSS Prąd upływu bramki - ±100 nAIDSS Prąd drenu (Vgs = 0) - 1 (25°C), 10 (85°C)μAVSD Spadek napięcia diody (Is = 90A) 0.8 1.0VQg Całkowity ładunek bramki 185 nCQgs Ładunek bramka-źródło 34 nCQgd Ładunek bramka-dren 60 nCCiss Pojemność wejściowa 7889 pFCoss Pojemność wyjściowa 1013 pFCrss Pojemność sprzężenia zwrotnego 631 pFtd(on) Czas opóźnienia włączenia 28 nstr Czas narastania 50 nstd(off) Czas opóźnienia wyłączenia 85 nstf Czas opadania 50 nsWaga: 2.3gMożliwe zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, DSG024N10N3, HGP020N10S, GP020N10S, HGP039N12S, GP039N12S, HGP050N14S, GP050N14S, HY029N10P, HY3810M, HY3810P, IRF100B201, IRFB4110, IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXFP180N10T2, RUH1H220R, SFG180N10PF, SFG180N10P, SFP046N150C3, WMK028N10HGSTranzystory nowe, nogi pełnej długościPomiar realnyZdjęcie rzeczywiste, którego czytelność została zwiększona za pomocą algorytmów AIW ofercie posiadamy również tulejki izolujące, podkładki, pasty, termopady do TO-220