4N25 optotriak transoptor DIP6 biały

Opis

4N25 TransoptorModel 4N25Oznaczenie 4N25Obudowa DIP6 białaMontaż THT przewlekanyRodzaj elementu transoptor (optotriak)Waga 0.4gMaksymalne parametry graniczne (Absolute Maximum Ratings, Ta = 25°C)Prąd przewodzenia diody IF 80 mA Napięcie wsteczne diody VR 6 V       Moc strat diody P 150 mW      Napięcie kolektor–emiter VCEO 30 V       Napięcie kolektor–baza VCBO 70 V       Napięcie emiter–kolektor VECO 7 V       Prąd kolektora IC 100 mA      Moc strat tranzystora PC 150 mW      Całkowita moc strat Ptot 250 mW      Napięcie izolacji (1 min) Viso 2 500 Vrms    Temperatura pracy Topr –55…+100 °C      Temperatura przechowywania Tstg –55…+150 °C      Temperatura lutowania (10 s) Tsol 260 °C      Charakterystyki elektryczne i optyczne (Electrical/Optical Characteristics, Ta = 25°C)Wejście (LED) :Napięcie przewodzenia VF 1,2  1,5  V IF = 10 mA     Prąd wsteczny IR – 50µA VR = 4 V       Pojemność złącza Ct 30– pF V = 0, f = 1 kHzWyjście (fototranzystor)Napięcie przebicia C–E BVCEO 30 V IC = 0,1 mANapięcie przebicia E–C BVECO 7 V IE = 10 µANapięcie przebicia C–B BVCBO 70 V IC = 0,1 mAPrąd upływu kolektora  ICEO  – 100 nA VCE = 10 VParametry transferoweCTR (stosunek prądu) CTR 50…600 % IF = 10 mA, VCE = 10 V                     Napięcie nasycenia C–E VCE(sat) – 0,5V IF = 10 mA, IC = 2 mAIzolacja i dynamikaRezystancja izolacji RISO 10¹¹ Ω DC 500 V, RH 40–60%             Pojemność między stronami Cf 1 pF V = 0, f = 1 MHz                Czas narastania tr 3 µs RL = 100 Ω, IC = 2 mA, VCE = 10 VCzas opadania tf 3 µs j.w.

Zamienniki : H11A1, CNY17-1, TIL111Zdjęcie realneElementy nowe, brak śladów lutowania lub montażuW ofercie posiadamy inne modele transoptorów